0. Vorwort
1. Hexagonale Halbleiter
1.1. Kristallstruktur
1.2. Verspannung und Verzerrung
1.2.1. Hookesches Gesetz
1.2.2. Verkippte Kristallflächen
1.2.3. Polarisation
1.3. Berechnung der Bandstruktur
1.3.1. Allgemeines
1.3.2. Die Brillouin-Näherung
1.3.3. Die Bloch-Näherung
1.3.4. Die kp-Methode
1.3.5. Übergangsenergien – der Einfluß der Verspannung
1.4. Matrix-Methode zur Lösung der eindimensionalen Schrödinger-Gleichung
2. Ortsauflösung bei der KL-Spektroskopie im Rasterelektronenmikroskop
2.1. Tiefenausdehnung – Monte-Carlo-Simulation der Elektronenbahnen
2.2. Laterale Ortsauflösung bei Kathodolumineszenz-Untersuchungen
2.2.1. Diffusionslänge in Galliumnitrid
2.2.2. Vermeidung von Aufladungsartefakten
3. Strukturelle Defekte
3.1. Versetzungen
3.2. Stapelfehler
3.2.1. Basale Stapelfehler
3.2.2. Prismatische Stapelfehler
3.2.3. Lumineszenz an Basalstapelfehlern in GaN
4. Aufbau des Meßsystems
5. Basalstapelfehler in semipolarem GaN
5.1. Probenstruktur
5.2. Kathodolumineszenz-Messungen
5.3. TEM-Untersuchungen
5.4. Temperaturabhängigkeit der I2-BSF-Lumineszenz
5.5. Betrachtungen zur Verspannungs-Situation
5.6. Diskussion der Ergebnisse
6. Basalstapelfehler in semipolarem AlGaN und ihr Einfluß auf den Al-Gehalt
6.1. Probenstruktur
6.2. Kathodolumineszenz-Messungen
6.3. TEM-Untersuchungen
6.4. Simulation des Defektes in AlGaN
6.5. Röntgen-Untersuchungen
6.6. Diskussion der Ergebnisse
6.7. Auswirkungen der Defekte in AlGaN auf Leuchtdioden
6.7.1. Probenstruktur
6.7.2. Meßergebnisse
6.7.3. Diskussion
7. ZnO/GaN/InGaN-Core-Shell-Nanosäulen
7.1. Aufbau und Herstellung der untersuchten Proben
7.2. Kathodolumineszenz-Untersuchungen
7.2.1. Probe ohne Quantenfilm
7.2.2. Probe mit Quantenfilm
7.2.3. Vergleichende REM-KL- und TEM-Untersuchungen
7.2.4. Diskussion der Ergebnisse
8. Zusammenfassung
9. Einige Worte des Dankes…
10. Veröffentlichungen
10.1. Publikationsliste
10.2. Eigene Vorträge und Poster
10.2.1. Vorträge
10.2.2. Posterbeiträge
Literatur